| 品番 | NVD5867NLT4G-TB01 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta), 22A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 39 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 675pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
NVD5862NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 | 詳細 |
|
NVD5862NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 | 詳細 |
 |
NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK | 詳細 |
|
NVD5863NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK | 詳細 |
|
NVD5865NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4 | 詳細 |
|
NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V DPAK | 詳細 |
|
NVD5867NLT4G-TB01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK | 詳細 |
