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SCT50N120 - STMicroelectronics

品番: SCT50N120
メーカー: STMicroelectronics
簡単な説明: MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SCT50N120 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 691 pcs
参考価格: USD 38.64/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SCT50N120 詳細な説明

品番	SCT50N120
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	65A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	20V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	122nC @ 20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1900pF @ 400V
Vgs（最大）	+25V, -10V
FET機能	-
消費電力（最大）	318W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	69 mOhm @ 40A, 20V
動作温度	-55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	HiP247™
パッケージ/ケース	TO-247-3
重量	-
原産国	-

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