FQA13N80-F109 - ON Semiconductor

부품 번호	FQA13N80-F109
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	12.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	3500pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	300W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-3PN
패키지 / 케이스	TO-3P-3, SC-65-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
FQA13N50	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P	세부
FQA13N50C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P	세부
FQA13N50C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 13.5A	세부
FQA13N50CF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P	세부
FQA13N50CF_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P	세부
FQA13N50C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 13.5A	세부
FQA13N80	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P	세부
FQA13N80-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P	세부
FQA13N80_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P	세부