| номер части | DME2W3P9K-F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| емкость | 3.9µF |
| Толерантность | ±10% |
| Номинальное напряжение - AC | 160V |
| Номинальное напряжение - DC | 250V |
| Диэлектрический материал | Polyester, Metallized |
| ESR (Сопротивление эквивалентной серии) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | Radial |
| Размер / размер | 1.024" L x 0.441" W (26.00mm x 11.20mm) |
| Высота - сидя (макс.) | 0.807" (20.50mm) |
| прекращение | PC Pins |
| Межстрочный интервал | 0.886" (22.50mm) |
| Приложения | General Purpose |
| Особенности | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DME201010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5 | подробности |
|
DME201020R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5 | подробности |
 |
DME2050 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
 |
DME205010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6 | подробности |
|
DME20B010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 | подробности |
|
DME20C010R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP DARL 50V MINI5 | подробности |
|
DME2199 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
|
DME2205 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
|
DME2206 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
|
DME2207 | EXSHINE | Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes | подробности |
