BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSC100N10NSFGATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSC100N10NSFGATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
23299 pcs
Справочная цена
USD 1.1308/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1 Подробное описание

номер части BSC100N10NSFGATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 110µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2900pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 25A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSC100N10NSFGATMA1