BSM75GAR120DN2HOSA1

BSM75GAR120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

номер части
BSM75GAR120DN2HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSM75GAR120DN2HOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
2095 pcs
Справочная цена
USD 78.533/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSM75GAR120DN2HOSA1

BSM75GAR120DN2HOSA1 Подробное описание

номер части BSM75GAR120DN2HOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 30A
Мощность - макс. 235W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 400µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSM75GAR120DN2HOSA1