| номер части | IPB08CN10N G |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 95A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6660pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 167W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 95A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB009N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 | подробности |
|
IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | подробности |
|
IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 | подробности |
|
IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | подробности |
|
IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | подробности |
|
IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | подробности |
