IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R150CFDAATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPB65R150CFDAATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH TO263-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB65R150CFDAATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPB65R150CFDAATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
10017 pcs
Справочная цена
USD 2.5393/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R150CFDAATMA1 Подробное описание

номер части IPB65R150CFDAATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 22.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 86nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2340pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 195.3W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 9.3A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB65R150CFDAATMA1