| номер части | IRF1010EPBF |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 84A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF100 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | подробности |
|
IRF100B201 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB | подробности |
|
IRF100B202 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB | подробности |
 |
IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | TRENCHMOSFETS | подробности |
|
IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | TRENCHMOSFETS | подробности |
 |
IRF100S201 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK | подробности |
|
IRF1010E | IR | IRF1010E IR TO-220 New Original Stocks | подробности |
 |
IRF1010EL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 | подробности |
|
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB | подробности |
|
IRF1010ES | IR | IRF1010ES IR D2-PAK New Original Stocks | подробности |
