| номер части | JANTXV1N6311US/TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Напряжение - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
| Толерантность | ±5% |
| Мощность - макс. | 500mW |
| Импеданс (макс.) (Zzt) | 29 Ohms |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 30µA @ 1V |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.4V @ 1A |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SQ-MELF, B |
| Пакет устройств поставщика | B, SQ-MELF |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
JANTXV1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTXV1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
|
JANTXV1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | подробности |
