| номер части | SID1112K |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Технологии | Magnetic Coupling |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение - изоляция | 5000Vrms |
| Иммунитет переходного периода общего режима (мин.) | 50kV/µs (Typ) |
| Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 340ns, 330ns |
| Искажение ширины импульса (макс.) | - |
| Время нарастания / падения (Тип) | 1125ns (Max), 1125ns (Max) |
| Ток - выход высокий, низкий | 480mA, 520mA |
| Ток - пиковый выход | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | - |
| Current - DC Forward (If) (Max) | - |
| Напряжение - Поставка | 22V ~ 28V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads |
| Пакет устройств поставщика | eSOP-R16B |
| Сертификаты | VDE |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
SID-0515WD | ORIGINAL | SID-0515WD ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
|
SID01L60 | SECOS | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | подробности |
|
SID01N60 | SECOS | N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | подробности |
|
SID100N12 | SIRECTIFIER | NPT IGBT Modules | подробности |
|
SID100S12 | SIRECTIFIER | SPT IGBT Modules | подробности |
 |
SID1102K | Power Integrations | DGTL ISO GATE DRVR | подробности |
|
SID1102K-TL | Power Integrations | DGTL ISO GATE DRVR | подробности |
|
SID1112K | Power Integrations | DGTL ISO GATE DRVR | подробности |
|
SID1112K-TL | Power Integrations | DGTL ISO GATE DRVR | подробности |
|
SID1132K | Power Integrations | OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B | подробности |
