RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
RN1110MFV,L3F
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RN1110MFV,L3F Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
RN1110MFV,L3F.pdf
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
938448 pcs
Справочная цена
USD 0.029/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F Подробное описание

номер части RN1110MFV,L3F
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Частота - переход -
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-723
Пакет устройств поставщика VESM
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RN1110MFV,L3F