| номер части | BYG10YHM3_A/H |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Avalanche |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1.5A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.15V @ 1.5A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 4µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1µA @ 1600V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AC, SMA |
| Пакет устройств поставщика | SMA (DO-214AC) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BYG10 | VISHAY | Silicon Mesa SMD Rectifier | подробности |
|
BYG10A | VISHAY | BYG10A VISHAY DO-214.. New Original Stocks | подробности |
|
BYG10C | VISHAY | BYG10C VISHAY DO-214.. New Original Stocks | подробности |
|
BYG10D | VISHAY | Silicon Mesa SMD Rectifier | подробности |
|
BYG10D-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | подробности |
|
BYG10D-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | подробности |
|
BYG10D-M3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | подробности |
|
BYG10D-M3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | подробности |
 |
BYG10DHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | подробности |
|
BYG10DHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | подробности |
