| Artikelnummer | DMT4P1K-F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Kapazität | 0.1µF |
| Toleranz | ±10% |
| Nennspannung - AC | 200V |
| Nennspannung - DC | 400V |
| Dielektrisches Material | Polyester, Metallized |
| ESR (Ersatzserienwiderstand) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Radial |
| Größe / Dimension | 0.882" L x 0.472" W (22.40mm x 12.00mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | 0.763" (19.37mm) |
| Beendigung | PC Pins |
| Abstand zwischen den Elektroden | 0.732" (18.60mm) |
| Anwendungen | General Purpose |
| Eigenschaften | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Einzelheiten |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Einzelheiten |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Einzelheiten |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Einzelheiten |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | Einzelheiten |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | Einzelheiten |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | Einzelheiten |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | Einzelheiten |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Einzelheiten |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Einzelheiten |
