| Numéro d'article | DMT4P1K-F |
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| État de la pièce | Active |
| Capacitance | 0.1µF |
| Tolérance | ±10% |
| Tension nominale - AC | 200V |
| Tension nominale - DC | 400V |
| Matériau diélectrique | Polyester, Metallized |
| ESR (résistance série équivalente) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | Radial |
| Taille / Dimension | 0.882" L x 0.472" W (22.40mm x 12.00mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.763" (19.37mm) |
| Résiliation | PC Pins |
| Espacement de plomb | 0.732" (18.60mm) |
| Applications | General Purpose |
| Caractéristiques | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Détails |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Détails |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Détails |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Détails |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | Détails |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | Détails |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | Détails |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | Détails |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Détails |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Détails |
