DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3FB11BOMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1987 pcs
Referenzpreis
USD 82.7575/pcs
Unser Preis
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DF200R12W1H3FB11BOMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF200R12W1H3FB11BOMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Leistung max 20mW
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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