DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3FB11BOMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1987 pcs
Precio de referencia
USD 82.7575/pcs
Nuestro precio
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DF200R12W1H3FB11BOMA1 Descripción detallada

Número de pieza DF200R12W1H3FB11BOMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Potencia - Max 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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