| Artikelnummer | NCV51511PDR2G |
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| Teilstatus | Active |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side or Low-Side |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Tortyp | N-Channel MOSFET |
| Spannungsversorgung | 8V ~ 16V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 2V, 1.8V |
| Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 3A, 6A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) | 100V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 6ns, 4ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC-EP |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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NCV5104DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC | Einzelheiten |
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NCV5106ADR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DVR HIGH VOLT 8SOIC | Einzelheiten |
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NCV51190MNTAG | ON Semiconductor | IC REG DDR TERM 1.5A 8DFN | Einzelheiten |
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NCV51198PDR2G | ON Semiconductor | IC REG DDR TERM 1.5A 8SOIC | Einzelheiten |
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NCV51199PDR2G | ON Semiconductor | IC REG DDR TERM 2.0A 8SOIC | Einzelheiten |
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NCV511SN15T1G | ON Semiconductor | IC REG LDO 1.5V 150MA SOT23-5 | Einzelheiten |
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NCV511SN25T1G | ON Semiconductor | IC REG LDO 50MA 2.5V TSOP | Einzelheiten |
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NCV51200MLTXG | ON Semiconductor | 3A DDR / VTT TERMINATION | Einzelheiten |
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NCV51200MNTXG | ON Semiconductor | IC REG DDR TERM 3A 10DFN | Einzelheiten |
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NCV51200MWTXG | ON Semiconductor | IC REG DDR TERM 3A 10DFN | Einzelheiten |
