NCV51511PDR2G Descrizione dettagliata
Numero di parte |
NCV51511PDR2G |
Stato parte |
Active |
Configurazione guidata |
High-Side or Low-Side |
Tipo di canale |
Synchronous |
Numero di driver |
2 |
Gate Type |
N-Channel MOSFET |
Tensione - Fornitura |
8V ~ 16V |
Tensione logica - VIL, VIH |
2V, 1.8V |
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) |
3A, 6A |
Tipo di input |
Non-Inverting |
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) |
100V |
Rise / Fall Time (Typ) |
6ns, 4ns |
temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore |
8-SOIC-EP |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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