| Número de pieza | DMT1W1K-F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Capacidad | 1µF |
| Tolerancia | ±10% |
| Clasificación de voltaje - AC | 65V |
| Tensión nominal - DC | 100V |
| Material dieléctrico | Polyester, Metallized |
| ESR (resistencia de la serie equivalente) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | Radial |
| Tamaño / Dimensión | 1.331" L x 0.520" W (33.80mm x 13.20mm) |
| Altura: sentado (máximo) | 0.824" (20.92mm) |
| Terminación | PC Pins |
| Espacio de plomo | 1.169" (29.70mm) |
| Aplicaciones | General Purpose |
| Caracteristicas | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Detalles |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | Detalles |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Detalles |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Detalles |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | Detalles |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | Detalles |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | Detalles |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | Detalles |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Detalles |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Detalles |
