| номер части | DMT1W1K-F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| емкость | 1µF |
| Толерантность | ±10% |
| Номинальное напряжение - AC | 65V |
| Номинальное напряжение - DC | 100V |
| Диэлектрический материал | Polyester, Metallized |
| ESR (Сопротивление эквивалентной серии) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | Radial |
| Размер / размер | 1.331" L x 0.520" W (33.80mm x 13.20mm) |
| Высота - сидя (макс.) | 0.824" (20.92mm) |
| прекращение | PC Pins |
| Межстрочный интервал | 1.169" (29.70mm) |
| Приложения | General Purpose |
| Особенности | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | подробности |
|
DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | подробности |
 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | подробности |
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | подробности |
 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | подробности |
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | подробности |
 |
DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | подробности |
|
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | подробности |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | подробности |
|
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | подробности |
