Numero di parte | DMN2013UFX-7 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.4nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2607pF @ 10V |
Potenza - Max | 780mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | W-DFN5020-6 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |