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DMN2013UFX-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN2013UFX-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN2013UFX-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 87945 pcs
参考価格: USD 0.2918/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN2013UFX-7 詳細な説明

品番	DMN2013UFX-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能	Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	57.4nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2607pF @ 10V
電力 - 最大	780mW
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	6-VFDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ	W-DFN5020-6
重量	-
原産国	-

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