BSM75GD120DN2BOSA1

BSM75GD120DN2BOSA1 - Infineon Technologies

номер части
BSM75GD120DN2BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSM75GD120DN2BOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
882 pcs
Справочная цена
USD 186.285/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSM75GD120DN2BOSA1

BSM75GD120DN2BOSA1 Подробное описание

номер части BSM75GD120DN2BOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 103A
Мощность - макс. 520W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1.5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 5.1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSM75GD120DN2BOSA1