| Artikelnummer | JANTX1N5811/TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 30ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 150V |
| Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | B, Axial |
| Lieferantengerätepaket | B, Axial |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Einzelheiten |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Einzelheiten |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Einzelheiten |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Einzelheiten |
