| Numéro d'article | JANTX1N5811/TR |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 3A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 4A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | B, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | B, Axial |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Détails |
