| номер части | JANTX1N5811/TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 150V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 3A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 875mV @ 4A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 30ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 150V |
| Емкость @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | B, Axial |
| Пакет устройств поставщика | B, Axial |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | подробности |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | подробности |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | подробности |
